在芯片产业六十余年的发展历程中，摩尔定律始终是技术进步的刻度尺，这个定律的核心就是晶体管密度每18-24个月翻番。

如何保证摩尔定律的运行？其核心是光刻机，可以说光刻机正是镌刻这组数字的核心刻刀。

ASML不断推进的光刻机技术，保证了芯片不断的提高工艺，不断的缩小制程，让摩尔定律持续下去。

不过我们也发现当ASML的极紫外光刻机（EUV）将制程节点推向3nm以下时，整个行业突然发现，这把精密刻刀的刀锋正在逼近物理极限的崖壁。

光刻机：摩尔定律的执剑者EUV光刻机的诞生本身就是国际科技协作的产物。这项由美欧科研机构联合突破关键技术、最终由ASML实现工程化的设备，构成了现代半导体产业的基石。

从第一代数值孔径（NA）0.33的Low NA EUV，到正在向英特尔交付的第二代 NA 0.55 High NA EUV，光刻机精度每提升0.01，都意味着数十亿上百亿美元的研发投入和十年以上的技术积累。

High NA EUV虽能支撑2nm乃至1nm制程，但其技术实现已逼近光学原理的边界——当光波长压缩至13.5nm时，任何微小的光学畸变都将导致图案失真，这如同在原子尺度上进行精密雕刻。

技术天花板下的产业震荡ASML技术人员对第三代EUV光刻机，也就是Hyper NA EUV（NA= 0.77）的谨慎态度，他们甚至认为，在NA=0.55的High NA EUV后，可能无法推出更先进的光刻机了，因为现在已经是达到技术极限了。

而一旦光刻机精度提升遭遇物理定律的"红灯"，芯片制程的迭代速度必然放缓，所谓的1nm、0.7nm等，最多就是玩一玩数字游戏了。

而这种停滞对美国半导体产业的影响尤为深远：过去二十年，美国企业通过主导EUV生态攫取了全球芯片市场60%以上的利润，一旦工艺迭代停滞，不仅设备厂商将面临订单萎缩，更可能让中国等追赶者获得缩小差距的窗口期。

中国突围与美国的战略困境技术停滞的阴影下，地缘政治博弈愈发激烈。中国目前以成熟芯片为主，因为获到不到EUV光刻机，难以向7nm以下进发。

但是，如果EUV无法前进，意味着先进工艺也无法再持续，而是要原地踏步了，那么中国就可以快速的追上来了，缩小与美国芯片的代差了，毕竟别人在等你了，你就肯定更容易追。

并且非常有可能，当EUV光刻机无法继续充当"技术阀门"，全球芯片产业将进入真正的公平竞争阶段，这是美国从未遭遇过的挑战。

后摩尔时代的破局之路并且很大可能性，在EUV无法再进步的情况之下，行业会发生一种转向，比如从现在的主流硅基芯片，转向碳基芯片、光子芯片、量子芯片等等。

而这些新的赛道，大家都在同一起步线，美国并不领先，中国完全有可能改写游戏规则，改变整个行业格局。