随着产业链成熟与成本持续下行，SiC有望解锁更多复杂严苛场景应用。

今日，深圳方正微电子有限公司副总裁/产品总经理彭建华在2025慕尼黑上海电子展论坛中发表主题演讲。

在演讲中，他围绕第三代半导体的上车情况展开讨论。

最新数据显示，2024年，新能源汽车产销分别完成1288.8万辆和1286.6万辆，同比分别增长34.4%和35.5%，新能源新车销量达到汽车新车总销量的40.9%，继续成为中国汽车工业的重要增长点。

彭建华表示，可以看到，整个新能源汽车的发展远远超过此前市场预测，2025年会是新能源汽车行业的一个重要转折之年，也会是汽车芯片的一个重要转折之年。

其中SiC便是重点关注对象之一。

从近日的市场数据可以了解到，如今SiC市场正在保持高速增长，但产能建设正严重供大于求。不过，随着全球半导体产业链正在发生由西向东的迁移，第三代半导体市场的格局即将重塑。

根据乘联会等机构数据，去年上半年中国合计零售乘用车984.1万辆，其中新能源乘用车零售411.1万辆，由此计算，上半年中国SiC乘用车销量占乘用车、新能源乘用车的销售比重分别为10.92%、26.14%。

不过SiC价格正在经历严重的下滑。

市场数据显示，2024年底，国内6英寸SiC MOS衬底价格已降至2500-2800元人民币，全年降幅超过40%，接近成本线。

在价格大幅下滑的背景之下，全SiC方案竞争力大增，ALL SiC已是必选项。初步分析显示，在IGBT+SiC方案下，若模块成本增加10%~30%，电驱系统的成本将增加15%~20%。而在全SiC方案下，若模块成本增加20%~40%，电驱系统成本增加约0%~20%。

艰难的外部环境正在对SiC公司发起更为严峻的挑战。

车规级SiC功率器件制造工艺难点包括：

钝化保护：饨化层需致密无针孔，在TC、RB、GB等可靠性测试后易开裂，难稳定保护终端与管芯。

栅氧制备：栅氧制备工艺决定了器件沟道迁移率，对器件性能和可靠性影响很大。

化镀工艺：Bare Die应用到模块的关键技术，化镀与芯片制造工艺须完全兼容，并良损率有效降低。

欧姆接触：欧姆接触质量，直接影响器件的工作性能和高温可靠性。

彭建华表示，当前的环境需要国产厂商布局先进的产品/技术、需要自有Fab/产能规模、需要有强大的资金还需要其提供更为优质的服务。

方正微作为第三代半导体领域的IDM企业，当前有两个Fab。Fab1当前已实现SiC产能9000片/月（6英寸），2024年底产能达到约1.4万片/月，2025年将具备16.8万片/年车规SiC MOS生产能力，GaN当前产能4000片/月。Fab2的8英寸SiC生产线于2024年底通线，长远规划产能6万片/月。

当前，方正微电子系列产品覆盖了新能源汽车应用的全场景：1200V 16m/18m/20mΩ应用于主驱逆变控制器，1200V 35m/60m/85mΩ应用于OBC，1200V 60m/85mΩ应用于DC/DC，1200V 60m/85mΩ应用于空调压缩机，1200V 16m/20m/35m/60mΩ应用于充电桩等场景。方正微电子车规1200V SiC MOS产品已经规模应用，特别是在新能源汽车主驱控制器上规模上车。

方正微电子表示，公司车规SiC MOS 1200V全系产品的性能已达到国际当前主流芯片水平。

在演讲中，方正微还宣布车规主驱SiC MOS第二代（G2）1200V/13mΩ@25mm量产发布。新一代SiC产品可媲美当前高端新能源车上应用的国际同行SiC MOS产品，个别指标领先，完全符合新能源汽车应用需求。

SiC 加速上车，这不仅是半导体领域技术革新的关键一步，更是诸多产业迈向高效能、低功耗未来的重要契机。随着产业链成熟与成本持续下行，SiC 有望解锁更多复杂严苛场景应用，从特高压输电到高密度数据中心供电，驱动全球能源与信息基础设施迈向高效、可靠、低碳的新范式，持续赋能科技产业迭代升级，重塑未来技术版图。

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