三星与长江存储达成合作，将使用长江存储的混合键合专利技术，从其V10（第10代）NAND开始应用。这一合作不仅是技术领域的强强联合，更预示着全球半导体存储格局或将迎来新的变革。

三星近日与长江存储签署了3D NAND混合键合专利许可协议，从第10代V-NAND（V10）开始，将使用长江存储的专利技术，特别是在“混合键合”技术方面。

三星计划在2025年下半年量产下一代V10 NAND，预计堆叠层数将达到420至430层，当层数超过400层时，底层外围电路的压力会显著增加，影响芯片的可靠性。为了解决这一问题，三星决定在V10NAND中引入W2W混合键合技术，该技术通过直接将两片晶圆贴合，无需传统凸点连接，从而缩短电气路径，提高性能与散热能力，同时优化生产效率。

而早在四年前，长江存储就率先将混合键合技术应用于3D NAND制造，并命名为“晶栈”，同时建立了完善的专利布局。

业内人士指出，目前掌握3D NAND混合键合关键专利的公司包括美国Xperi、中国长江存储和中国台湾台积电，三星几乎无法绕开长江存储的专利布局。

因此三星最终选择通过专利授权方式达成协议，而非尝试规避专利，以降低未来潜在的法律和市场风险，并加快技术研发进度。此外除了三星，SK海力士也在开发用于400层以上NAND产品的混合键合技术，未来可能同样需要与长江存储达成专利授权协议。

业内人士认为，未来三星在V10、V11、V12等后续NAND产品的开发过程中，仍可能需要继续借助长江存储的专利技术。

据报道，三星计划在2025年下半年量产的下一代V10 NAND中引入长江存储名为“晶栈（Xtacking）”混合键合专利技术，预计将使得NAND的堆叠层数达到420-430层左右。据传SK海力士也正与长江存储谈判欲引用此专利。

“晶栈（Xtacking）”是长江存储自研多年的混合键合技术，并建立了完善的专利布局。有业内人士表示，目前掌握3D NAND混合键合专利的公司只有美国Xperi、中国长江存储和中国台湾台积电等三家公司。包括三星、SK海力士等巨头要将此技术应用在NAND芯片制造中，几乎都无法绕开长江存储的专利布局。

此前，长江存储利用“晶栈（Xtacking）”成功制造出了232层堆叠的NAND芯片，尽管受到美国的打压，但Xtacking 4.0（第五代）工艺依然取得了显著进展，并成功应用于294层的第五代3D NAND闪存芯片中。

三星曾在2024年4月宣布量产第九代V9 QLC V-NAND闪存，堆叠层数为280层。三星在NAND生产中采用的COP技术在层数超过400层时，底层外围电路的压力会显著增加，从而影响到NAND芯片的可靠性。

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