英特尔在25日宣布，其业界领先的半导体封装解决方案已经进入大规模生产阶段，其中包括英特尔引领的3D Foveros先进封装技术。这一举措被认为是英特尔对台积电等竞争对手发起的挑战，旨在争夺在整合多个小芯片（Chiplets）于单个封装中的日益增长的市场份额。

英特尔公司执行副总裁兼全球运营长Keyvan Esfarjani表示，新一代的先进封装技术使得英特尔在芯片性能、尺寸和设计灵活性方面脱颖而出，为客户提供了竞争优势。他指出，英特尔的3D Foveros和2.5D EMIB等封装技术，将在2030年之后持续推动摩尔定律的前进，实现在单个封装中整合一兆个晶体管的目标。

该技术的关键点在于在处理器制造过程中以垂直方式堆叠计算模块，为英特尔及其代工客户提供了整合不同计算芯片的能力，以优化成本和能效。英特尔还宣布，到2025年，其3D Foveros先进封装的产能将增加四倍，以满足不断增长的市场需求。

这一消息的背后是半导体产业整体正在朝着在单个封装中集成多个小芯片的方向发展。台积电等公司的CoWoS先进封装技术也在积极扩产中，预计2024年底其月产能将达到3.2万片，2025年底再增至4.4万片。英特尔的3D Foveros的大规模量产将进一步激烈化先进封装市场的竞争。

不仅如此，英特尔CEO帕特·基辛格强调，这一技术的推出将有助于继续推进摩尔定律。摩尔定律是一项经验法则，指出集成电路上容纳的晶体管数量每经过18-24个月翻一番，而处理器性能每2年翻一倍，同时价格降低一半。这次量产3D Foveros封装技术被视为英特尔对摩尔定律的坚定信仰，表明他们将继续在技术创新方面领先。

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