4月8日，士兰微发布公告，披露其在碳化硅（SiC）业务上的最新成果，涵盖旗下“士兰明镓”与“士兰集宏”两大项目线，标志着公司在第三代半导体领域的加速布局与阶段性突破。

“士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目进展：

目前，士兰明镓已具备月产9,000片6英寸SiC MOS芯片的产能。基于公司自主研发的第二代SiC-MOSFET芯片所打造的电动汽车主电机驱动模块，已在国内四家车企实现累计出货5万只，市场反馈良好。随着产线进一步释放产能，已实现规模化量产交付。

值得关注的是，公司已完成第四代平面栅SiC-MOSFET芯片的技术开发，其性能指标接近沟槽栅SiC器件水平。相关芯片及功率模块已送客户评测，预计将在2025年实现量产上量。

“士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线”项目进展：

截至2024年底，士兰集宏的8英寸SiC mini line已实现通线。公司第二代SiC芯片已成功在该产线上试流片，其参数表现与6英寸产品一致，且良率明显提升。

目前，士兰集宏主厂房及相关建筑已全面封顶，正处于洁净室装修阶段，预计2025年第四季度全面通线并进入试生产阶段，抢占2026年快速增长的车用SiC市场。

战略展望：

士兰微表示，面对国家政策持续支持及新能源汽车、新能源、算力、通信等下游行业的高速发展，公司将加快推进“一体化”战略，持续加大在模拟电路、功率半导体、MEMS传感器以及包括SiC、GaN在内的第三代化合物半导体领域的研发投入。

未来，公司将聚焦汽车、新能源、工业控制、通信、大型家电和电力电子等中高端市场，深化系统创新与技术整合，提升产品附加值与品牌影响力，推动营收与效益持续增长，为推动国家集成电路产业发展贡献力量。