今天又是缩量杀跌的一天，除了前面我讲的涨价题材得以延续之外，其他老的题材都还是照样被杀。而今天盘中异军突起的新凯来，得到资金的进一步认可，而这个技术上的突破也是我们中国科技界的一个重要的里程碑，今天文章就给大家重点梳理新凯来这个新方向！

事件驱动：

1.近期在上海举行的全球半导体行业盛会 SEMICON China 2025 上，深圳新凯来工业机器有限公司首次公开亮相，推出五款以中国名山命名的高端半导体设备，直指 7nm 以下先进制程，其中 ALD “阿里山” 设备更是挑战国际巨头垄断的 5nm 以下原子层沉积技术。

2.据消息，Nvidia 价值 171亿美元的中国业务(约占其总收入的 13%)现在面临风险。北京最高经济规划机构国家发改委已针对新数据中心制定了能效规则，取消了Nvidia 的 H20 芯片(目前是其在中国的旗舰 Al产品)的资格。

3.中芯国际计划到 2025 年完成其 5nm 工艺的开发。他们实现了无EUV的7nm(N+2)工艺量产，并完成了5nm 工艺的开发，以支持华为 Ascend 910C的量产。

2025 年 3 月 26 日，全球半导体产业的目光齐聚上海新国际博览中心。第 23 届 SEMICON China 以 10 万平方米的展览规模刷新纪录，吸引 1,400 余家全球厂商及数万名专业买家参与。在这场科技盛宴中，中国半导体设备企业的集体突破尤为引人瞩目：深圳 "国家队" 新凯来首次参展即推出 5 款 12 英寸高端制程设备。

一、新锐崛起：新凯来全产品线突围

作为深圳国资委控股的半导体设备新锐，新凯来首次参展便成为焦点。其展台一口气发布了外延沉积（EPI）、原子层沉积（ALD）、物理气相沉积（PVD）、刻蚀（ETCH）、化学气相沉积（CVD）五大类设备，覆盖半导体制造的核心工艺环节。

据展会现场报道，新凯来此次公开发布的半导体装备分为工艺装备和量检测装备两大类，以“峨眉山”“三清山”“武夷山”“普陀山”“阿里山”等中国名山命名，覆盖半导体制造中的扩散、薄膜沉积、蚀刻、量检测等核心环节。

EPI（峨眉山）：专攻先进制程及第三代半导体。

ALD（阿里山）：支持5nm及更先进制程。

PVD（普陀山）：金属镀膜精度微米级，已进入中芯国际验证阶段。

ETCH（武夷山）：聚焦第三代半导体刻蚀。

CVD（长白山）：适配5nm，兼容多种制程节点。

二、新凯来凭什么成为技术黑马？

据现场披露，这些设备在精度、效率和智能化水平上均达到国际先进标准。技术突破背后的战略布局上，新凯来的产品技术直击行业痛点：

1. 全固态 DUV 光源突破

基于中科院上海光机所涡旋光束技术，新凯来开发出全球首台 193nm 全固态激光光源，通过非线性光学晶体变频技术，将 1064nm 激光转换为 193nm 深紫外光。相比传统氟化准分子激光方案：

· 体积缩小 50%：采用模块化集成设计，突破传统光源机柜体积限制

· 能耗降低 30%：单台设备功耗从 4.5MW 降至 3.15MW

· 摆脱稀有气体依赖：无需使用 XeF₂混合气体，规避国际供应链风险

该光源波长稳定性达 0.1pm，已通过华为海思 5nm 芯片量产验证，良率达 91%（行业均值 78%）。

2. SAQP 工艺弯道超车

与华为联合研发的“自对准四重成像技术”（SAQP），通过四次 DUV 曝光 + 自对准刻蚀实现等效 7nm/5nm 制程：

· 分辨率提升：将 193nm DUV 光刻机理论分辨率从 90nm 提升至 14nm

· 成本优化：单芯片曝光成本较 EUV 方案降低 65%

· 良率突破：在麒麟 9000S 芯片量产中，良率从初期 65% 提升至 85%，接近台积电同期水平

3. 光学系统自主化

与中科院长春光机所合资成立长光集智，研发具有自主知识产权的物镜组和反射镜系统：

· 材料突破：采用国产 CaF₂/BaF₂光学晶体，实现透过率≥99.8%（国际先进水平 99.9%）

· 设计创新：通过非球面曲面设计，支持 NA0.85 数值孔径，可适配 5nm 制程需求

· 精度控制：光学元件加工精度达纳米级，波像差≤0.07λ（λ=193nm）

4. 垂直整合生态构建

构建“设备 - 材料 - 工艺” 全链条协同体系：

· 刻蚀环节：联合北方华创开发沉浸式刻蚀设备，刻蚀速率提升 40%

· 清洗环节：至纯科技湿法清洗设备占新凯来订单 60% 以上，金属污染控制达 0.1ppb

· 验证周期：通过国产设备协同验证，将新机型研发周期从 18 个月缩短至 9 个月

二、“小华为”--新凯来成长记

新凯来与华为的合作关系可以追溯到公司成立之初。为华为提供高品质的零部件产品，在长期合作过程中，新凯来深度参与华为产品的研发设计，同时参与了华为多款明星产品的研发过程，在技术创新和产品优化方面发挥着重要作用。

另外去年5月，就有外媒称：华为与一家名为“新凯来”的半导体设备厂商，为一种技术复杂度低，但能有效制造先进芯片的方法，申请了专利。这种方案在没有极紫外光的支持下，通过多重曝光，尝试生产5nm芯片。

抛开各种小道消息，从公开渠道看，新凯来这家公司成立于2021年，当时正值美国对华为开始打压。新凯来的大股东是深圳市深芯恒科技投资有限公司，而深芯恒的大股东，是深圳市重大产业投资集团有限公司，再往上追溯，则是深圳国资委。

深圳重大产业投资集团董事长，是国家集成电路产业投资基金二期的监事，也是中芯国际深圳公司的董事。由此可见，新凯来的产业背景，相当深厚。

四、市场影响与国产化进程

1.技术替代路径

短期:通过SAQP+DUV实现7nm/5nm制程，支撑华为等企业芯片自研。

长期:布局EUV光源预研(如13.5nm等离子体光源)，瞄准3nm以下制程。

2.国产化率目标

2025年:光刻机核心部件国产化率提升至50%(当前约20%)。

2030年:实现DUV光刻机全链条自主可控，EUV关键模块突破。

3.市场规模

预计2025年国产光刻机市场规模超 300亿元，新凯来市占率目标30%-40%。

五、重点关注相关公司

1.××××

公司是新凯来在半导体设备零部件的供应商之一，涉及真空系统和气体系统，服务于半导体设备供应链。2024年三季多，公司因新凯来订单增加，相关业务规模达8000万元。业务关联:公司专注于高纯及超高纯洁净材料，产品覆盖光刻机、刻蚀、薄膜等设备领域，与新凯来的设备需求高度匹配。

2.××××

公司是新凯来的核心供应商，主要提供半导体清洗湿法艺设备，满足先进制程需求。2021年对新凯来的采购金额为3000万元，并持续获得工艺订单。

3.××××

其实控人长春光机所与新凯来合资成立长光集智，聚焦半导体设备研发。该合作可能涉及光刻机配套技术或精密光学组件。公司实控人长春光机所与新凯来成立合资公司长光集智，聚焦半导体装备研发。网传公司给长光集智供货光刻机核心部件（曝光系统）（未经证实）。

4.××××

公司是新凯来及华为海思的供应商，产品包括精密阻抗测试仪半导体特性分析仪等,主研会社，导何题材之中的研发与生产。