2024年1月29日消息，据媒体报道，佳能公司正在加快推进采用纳米压印技术的光刻设备FPA-1200NZ2C的研发，计划最快在今年或明年开始交付。该新型设备的推出标志着佳能在芯片制造领域迈出了一大步，同时也引领了5纳米芯片制造的革新。

去年10月中旬，佳能公司发布了基于纳米压印技术的FPA-1200NZ2C，这一设备采用了与传统光刻技术截然不同的方法，实现了5nm芯片的制造。与ASML的光刻机不同，FPA-1200NZ2C更类似于印刷技术，通过直接压印形成微观结构，而非依赖光学图像投影。

相比目前商用的EUV光刻技术，虽然纳米压印技术在芯片制造速度上相对较慢，但其带来的显著优势在于大幅减少能耗和设备成本。据铠侠在2021年的表态，纳米压印技术的制程更为简单，耗电量可降至EUV技术的10%，设备投资也仅为EUV设备的40%。

佳能高管武石洋明表示，新设备的成本将比ASML的EUV设备低一位数，耗电量更是减少了惊人的90%。这使得芯片制造商能够在提高生产效率的同时，降低能耗和生产成本，进一步推动了纳米压印技术在行业内的应用。

除了技术优势外，纳米压印设备还为芯片制造商提供了更大的灵活性。通过减少对ASML的EUV光刻机的依赖，台积电、三星等晶圆代工厂得以拥有第二个制程选择，为客户提供更灵活的生产服务，尤其是对于小批量芯片的需求。

然而，佳能CEO三井藤夫也在采访中透露，由于技术出口限制，可能无法将这些设备出口到中国，因为中国规定超过14nm技术的设备出口受到禁止。

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