EasyGaN宣布倒闭，网站已关闭。

近日，法国氮化铝（AlN）初创公司EasyGaN因未能筹集到更多资金而倒闭，EasyGaN网站现已关闭。

EasyGaN CEO、前英特尔平台经理Andre Bonnardot表示：“尽管我们尽了最大努力，但仍未能获得继续开展项目所需的资金。如果您对通过MBE开发的AlN和硅基GaN技术感兴趣，请联系CRHEA/CNRS实验室的Fabrice Semond，他负责并支持了我们。”

氮化铝（AlN）填料是一种高性能的材料，常用于提高塑料、橡胶和复合材料等的热导率、电绝缘性和机械强度，其具有高热导率，可达170-200 W/m·K，这使得其尤其适合需要散热的电子器件；具有良好的电绝缘性，体积电阻率可达1014 Ω·cm，常用于电器绝缘材料；热膨胀系数接近硅，可用于与硅芯片匹配的封装材料；耐化学腐蚀性强，除了氢氟酸和碱性溶液外，氮化铝对大多数酸和碱都有良好的稳定性。

然而氮化铝的缺点是生产成本相对较高，这限制了其在低成本产品中的广泛应用。此外，其制备过程中需在高温下进行，对设备要求较高。

根据相关报告，2023年全球氮化铝填料市场规模大约为0.68亿美元，预计2030年将达到1.14亿美元，2024-2030期间年复合增长率（CAGR）为6.3%。

EasyGaN坐落于法国Sophia Antipolis，公司专注于利用分子束外延（MBE）技术在硅晶圆上开发AlN层。相较于其他技术，MBE技术能够实现对材料结构更为精确的控制。通过这项技术，EasyGaN成功制造出比传统晶圆技术薄三倍的层，为代工厂和芯片公司提供了生产毫米波射频芯片的全新可能。

值得一提的是，毫米波射频芯片作为现代通信技术的关键组件，其性能的提升对于5G乃至未来6G通信的发展至关重要。

除此之外，EasyGaN还在研究硅衬底氮化镓异质外延领域。众所周知，高质量硅基氮化镓的生长在许多方面都面临挑战，尤其是大的晶格和热膨胀系数失配，导致不良缺陷，如高密度的穿透位错和裂纹。此外，硅表面对外延生长过程中涉及的许多化学物质都有很强的反应性，例如氮的存在会导致氮化，镓会导致回溶蚀刻，而铝则会扩散到高电阻硅衬底中。

此前，EasyGaN团队使用MBE技术成功在硅晶圆上开发AlN层，团队在研究能否将该技术复制到氮化镓领域。

当前氮化镓行业已经步入到整合期，除了有企业倒闭，收并购事件发生频率更高，2024年的第三代半导体产业收并购案例大部分都涉及氮化镓相关业务，包括BluGlass、思瑞浦、PI、瑞萨电子、格芯、MACOM等，即使是头部企业，也避免不了被并购的命运，例如欧洲氮化镓汽车半导体代工厂BelGaN申请破产后，拟被欧洲竞标者收购。

根据TrendForce集邦咨询《2024全球GaN Power Device市场分析报告》显示，预估2030年全球氮化镓功率器件市场规模有望上升至43.76亿美元。得益于高频率、高功率、耐高温、低功耗等特性，氮化镓技术近年来迅速渗透进入消费电子市场，具体而言，氮化镓已经在低功率的手机快速充电器中被大规模采用，并正在向可靠性要求更为严格的笔电、家电电源产品延伸。

在低压、低功率快充市场被大规模采用后，氮化镓瞄准了高压、高功率应用市场，但目前进展较缓，不如预期，这就导致部分厂商经营状况不佳。其中，美国一家同样押注垂直GaN技术的企业NexGen Power Systems已在2023年圣诞节前夕倒闭。

此外，成本、供应链成熟度等问题在一定程度上制约了氮化镓产业规模在短期内的爆发。尽管部分厂商尝试降低氮化镓功率器件的制造成本，但整体成本仍然较高；氮化镓的供应链生态和产能、技术仍不够成熟，面对新能源汽车、AI数据中心、机器人等应用场景，氮化镓的供应链成熟度和技术可靠性仍有待提升。

氮化镓市场体量较小，短期内的发展阻力却较大，有限的资源将更多流向重磅玩家，行业内玩家破产倒闭，产业并购整合自然也就不稀奇了。

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