士兰明镓已形成月产9000片6英寸SiC MOS芯片的生产能力。

4月8日午间，士兰微(600460)披露公司碳化硅项目的最新进展。经过加快建设，第Ⅱ代SiC芯片生产线产能正在释放。同时，第Ⅳ代SiC芯片与模块已送样，且预计今年将上量。

公告显示，2024年，士兰微加快推进“士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。截至目前，士兰明镓已形成月产9000片6英寸SiC MOS芯片的生产能力。基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在4家国内汽车厂家累计出货量5万只，客户端反映良好，随着6英寸SiC芯片生产线产能释放，已实现大批量生产和交付。

目前，士兰微已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标接近沟槽栅SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量。

同时，士兰微还加快推进“士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。截至2024年底，士兰集宏8英寸SiC mini line已实现通线，公司Ⅱ代SiC芯片已在8英寸mini line上试流片成功，其参数与公司6英寸产品匹配，良品率明显高于6英寸。士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶，正在进行净化装修，预计将在2025年四季度实现全面通线并试生产，以赶上2026年车用SiC市场的快速成长。

据悉，士兰微是国内少有的IDM（设计与制造一体）半导体企业，公司通过持续推出富有竞争力的产品，持续加大对大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场的拓展力度，加快产品结构调整的步伐，且取得积极成效。2024年，公司电路和器件成品的销售收入中，已有超过75%的收入来自大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场。

此前披露的业绩预告显示，士兰微预计2024年度实现归母净利润为1.5亿元到1.9亿元，与上年同期相比，将实现扭亏为盈；预计扣非后净利润1.84亿元到2.24亿元，与上年同期相比，同比增加212.39%到280.31%。

士兰微表示，当前，在国家政策持续支持，以及下游电动汽车、新能源、算力和通讯等行业快速发展、芯片国产替代进程明显加快的大背景下，公司将加快实施“一体化”战略，持续加大对模拟电路、功率半导体、MEMS 传感器，包括SiC、GaN在内的第三代化合物半导体等方面的投入，大力推进系统创新和技术整合，积极拓展汽车、新能源、工业、通讯、大型白电、电力电子等中高端市场，不断提升产品附加值和产品品牌力，持续推动公司整体营收的较快成长和经营效益的提升，努力为国家集成电路产业发展做出贡献。

此前，TechInsights发布报告称，碳化硅（SiC）正以其高效率、紧凑的设计和更低的成本改变着功率半导体行业。

DeepSeek的卓越表现掀起了人工智能（AI）应用落地浪潮，背后AI数据中心的需求高速增长有望为第三代半导体提供强劲的增长动力。作为数据中心的运算核心，GPU的功耗从700W增加到2700W，甚至更高，相应的电源功率需求也不断攀升，从现在的 30 kW，预计未来将提高到 300 kW。

高功耗需求促使数据中心对功率器件的效率、功率密度和散热性能提出了更高的要求。SiC 功率转换电路能够实现更高的转换效率和功率密度，有效降低电源损耗和散热需求，预计 2025 年将有更多的数据中心采用第三代半导体器件来优化服务器电源系统，从而推动其在该领域的规模应用。

除了数据中心外，SiC在电动汽车充电器、光伏、储能和工业应用等领域扩展。汽车行业是主要驱动力，预计到2025年，汽车SiC市场规模将达到20亿美元以上。为满足日益增长的需求，行业正在转向200毫米晶圆，这将提高产能并降低成本，推动更广泛的采用和行业竞争。

Yole Group 表示，尽管纯电动汽车出货量暂时放缓，但 SiC 市场仍保持长期增长轨迹。其分析师预测，到 2029 年，功率 SiC 市场规模将超过 100 亿美元，这得益于 2026 年的强劲反弹，2024 年至 2023 年之间的复合年增长率接近 20%。

“自 2018-2019 年以来，SiC 的采用加速，主要由汽车电气化的早期颠覆者特斯拉引领。2024 年，特斯拉继续在基于 SiC 的 BEV 领域占据主导地位，出货量接近 200 万辆，尽管这一数字比 2023 年下降了 5%”，Yole Group 高级技术和市场分析师 Poshun Chiu 表示。

与此同时，其他 OEM（尤其是来自中国的 OEM）正在取得进展。比亚迪、蔚来、吉利和小米正在扩大其基于 SiC 的 BEV 产品组合。

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