此前，长江存储成功打入果链，让我们对其刮目相看。作为国内的存储芯片巨头，长江存储虽然建立时间较迟，但发展迅速，在短期内完成追赶。而根据最新消息，长江存储研发的X3-9070芯片实现了量产。

这一突破。确定了长江存储冲上了行业领先的位置！

两大领先

长江存储X3-9070，是基于晶栈3.0架构研发的第四代三维TLC闪存芯片。X3-9070有两大领先优势。一是他使用的是长江存储自研的先进架构，二是他的层数超过了两百。

晶栈3.0架构，在2022年闪存峰会上获得了最具创新存储技术奖，这一奖项的获得，代表着长江存储在异构存储集成领域的成就在行业内有了权威的认可。

评奖委员会主席则表示，长江存储的晶栈3.0架构，比传统的 CMOS架构更加优越，能够实现更高的储存密度和更强的性能。

而对于我们来说，性能的强大固然值得自豪。但更关键的是，他是长江存储自行研发，并达到世界领先水平的架构。这是典型的弯道超车，也是狠狠的打了那些软骨头的脸，谁说国产芯不能自主和反超？

另一方面，X3-9070的层数超越了200，高达232层。这不仅仅是长江存储首度量产200层以上的闪存芯片，还是业内的第一次。全球半导体咨询公司 teachinsight表示，我国最大的存储芯片企业长江存储已经领先于他的竞争对手三星、美光和SK海力士。

据了解，三星、美光和SK海力士都宣称自己已经突破了200层以上的 NAND闪存技术，但他们都未实现量产，市场上也未见到他们的产品应用。相对的，长江存储不仅实现了量产，还用在了海康威视监控摄像头所使用的2TB SSD上。

Teachinsight非常看好长江存储，他认为长江存储率先量产200层以上 3D NAND闪存芯片，并且比竞争对手拥有更快的创新节奏，这时的他有望在2030年之前成为全球 NAND闪存技术的领导者。

在过去，NAND闪存芯片一直是海外企业的天下，但长江存储的出现慢慢地改变了这个局面。长江存储刚刚进入这个行业之时，早有老牌强企龙争虎斗。而长江存储从低级的32层技术开始入手，研发出64层之时，头部企业已研发出128层。

为了能够实现赶超，长江存储直接跳过96层研发128层。结果不仅成功了，还实现了更高的密度，更强的性能。现在长江存储彻底转守为攻，率先量产232层，真是打了一个漂亮的翻身仗！

追赶和超越

国产芯片的发展道阻且长。因为没有抓住芯片发展的最佳时机，我国半导体行业距离世界顶尖水平普遍落后了一到两代的距离。差距之下，也就有了断供和封锁的空间。

芯片是高科技产业最重要的底层基础之一，如果不摆脱目前的困境，达摩克利斯之剑将一直悬在我们的头顶。所以实现芯片自主化，刻不容缓。好消息是，越来越多像长江存储这样的企业正在证明，经过不断的努力，我们完成追赶和超越的目标将指日可待！

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