美光是继SK海力士之后，第二家向Nvidia提供HBM3E芯片的供应商。

美光科技在完成 Nvidia 的质量验证流程后，已开始量产其第五代 HBM3E 芯片。这些芯片将用于 Nvidia 即将推出的 AI 加速器 Blackwell Ultra。

美光是继 SK 海力士之后，第二家向 Nvidia 提供 HBM3E 芯片的供应商。三星目前仍处于产品认证阶段。尽管美光仅占有全球 HBM 市场的 5.1%（相比之下，SK 海力士占有 52.5% 且三星占有 42.4%），但其进入 Nvidia 的供应链预计将加强其地位。

为了提高 HBM 产量，美光科技在今年年初表示，在新加坡现有工厂附近的一个新的高带宽内存（HBM）先进封装工厂将破土动工。这家美国科技巨头表示，该工厂计划于2026年开始运营，为满足人工智能增长的需求，美光将从2027年开始大规模扩大先进封装产能。

新加坡经济发展局（Singapore Economic Development Board）主席Png Cheong Boon表示，这是新加坡首个HBM先进封装设施。

美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“随着人工智能在各行各业的普及，对先进内存和存储解决方案的需求将继续强劲增长。”“在新加坡政府的持续支持下，我们对这家HBM先进封装设施的投资加强了我们的地位，以应对未来不断扩大的人工智能机会。”

该公司指出，到本十年末，其HBM先进封装投资约为70亿美元（合95亿新元），最初将创造约1，400个工作岗位，随着未来工厂扩建计划推进，预计将达到3，000个工作岗位。新职能将包括包装开发、组装和测试操作等功能。该公司指出，该设施将加强新加坡当地的半导体生态系统和创新。

此外，美光表示，其未来在新加坡的扩张计划也将支持NAND（一种存储技术）的长期制造需求。美光补充说，将在管理HBM和NAND设施产能增速上保持灵活性，以适应市场需求。

去年12月，美光在中国台湾举行了台中第三办公大楼的点交暨启用典礼。这一举措表明其将持续在台中开展人工智能（AI）所需的高带宽存储器（HBM）制程的研发与制造工作。

美光明确表示，在未来会持续致力于培育中国台湾地区的半导体人才，从而为最先进存储器的生产提供支持。

据悉，美光的HBM前段产品在日本广岛厂进行生产，预计到年底产能将提升至2.5万片。从长远规划来看，美光将引入极紫外光（EUV）制程（1γ、1δ），同时建设全新的无尘室。

为了配合相关产能需求，美光桃园Fab11厂和台中A3厂的产能作出调整，增加了1β制程的比重，预计到2025年底HBM的总投片量将达到约6万片。

中国台湾美光董事长卢东晖称，中国台湾是制造动态随机存取存储器（DRAM）的重要地区，同时也加速了技术的量产进程。卢东晖还指出，1β制程技术的DRAM在日本实现量产后，转移到中国台湾进行生产也已经进入量产爬坡期，有望成为2025年最先进的DRAM制程技术。此外，采用极紫外光（EUV）技术的1γ制程DRAM预计将在2025年上半年实现量产，台中A3厂和桃园Fab11厂都是主要的生产基地。

美光的成长动力聚焦于HBM制程方面，将中国台湾视为主要的DRAM生产据点之一，并且规划到2025年将HBM的市场占有率至少提升3倍。针对营运目标，拥有1.1万名员工的中国台湾美光已经启动了人才招募行动，预计在未来12个月内，将在中国台湾地区招聘超过2000名员工，招聘范围涵盖台中厂、桃园厂以及之前收购的友达台南厂等。

日前，美光公布了下一代 HBM4 和 HBM4E 工艺的最新进展，该公司预计将于 2026 年开始量产。HBM4 有望带来最先进的性能和效率数据，而这正是提升人工智能计算能力的途径。美光与 SK 海力士和三星等公司一样，也在争夺 HBM4 的主导地位，在最新的投资者会议上，该公司透露，他们的 HBM4 开发已步入正轨，HBM4E 的"工作也已开始"。

美光表示：凭借在成熟的 1 β 工艺技术方面的坚实基础和持续投资，我们预计美光的 HBM4 将在上市时间和能效方面保持领先地位，同时性能比 HBM3E 提升 50% 以上。我们预计 HBM4 将于 2026 年大批量上市。

HBM4E 将紧随 HBM4 之后推出。HBM4E 将通过采用台积电先进的逻辑代工制造工艺，为某些客户提供定制逻辑基础芯片的选择，从而为存储器业务带来模式转变。

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