英特尔的“救星”来了？

据报道，英伟达正在考虑使用英特尔代工服务来制造面向游戏玩家的 GPU，采用18A工艺。

此前，有知情人士透露，英伟达和博通都在与英特尔进行制造测试。另外，AMD也在评估英特尔的18A制造工艺是否适合其需求，但目前尚不清楚是否进行了测试。报道提到测试正在进行中，可能持续了数月。这些测试并非针对完整的芯片设计进行，而是为了确定英特尔18A制程的表现和能力。因此，并不能保证英特尔最终能赢得新业务。

瑞银分析师蒂莫西・阿库里（Timothy Arcuri）表示，如果英特尔赢得英伟达的订单，这将是英特尔代工服务的重大胜利，甚至可能成为其业务的转折点。英特尔正在努力争取英伟达或博通承诺使用其代工服务，而在这二者之中，他认为英伟达比博通“更接近”采用英特尔作为其第二（或第三）供应商。

3月13日，悬空已久的英特尔CEO之位终于迎来了它的主人——陈立武。外界都在关注这位新任首席执行官陈立武如何将英特尔救出泥潭。蒂莫西・阿库里在报告中透露，陈立武将在短期内重点关注公司的芯片设计和代工能力。而18A就是英特尔芯片设计与代工翻身的希望。

Intel 18A为何如此重要？这就不得不从它的两大关键技术说起，RibbonFET全环绕栅极晶体管技术与PowerVia背面供电技术。

RibbonFET全环绕栅极晶体管技术，是破除半导体芯片因漏电而导致普遍发热问题魔咒的关键。这一问题在芯片制程工艺不断进化的进程中，随着芯片密度不断攀升越来越普遍和严重，RibbonFET正是应对这一挑战的有效解决方案。通过英特尔十多年来最重要的晶体管技术创新之一，英特尔实现了全环绕栅极（GAA）架构，以垂直堆叠的带状沟道，提高晶体管的密度和能效，实现电流的精准控制，在实现晶体管进一步微缩的同时减少漏电问题发生。

与此同时，RibbonFET还能提高每瓦性能、最小电压（Vmin）操作和静电性能。无论在何种电压下，都能提供更强的驱动电流，让晶体管开关的速度更快，从而实现了晶体管性能的进一步提升。RibbonFET 还通过不同的带状宽度和多种阈值电压（Vt）类型提供了高度的可调谐性，为芯片设计带来了更高的灵活性。

晶体管作为半导体芯片最为关键的元件，会直接对性能产生影响。在日常应用中，我们格外关注PC处理器的散热问题，积热造成的处理器频率下降是影响性能体验最为直观的因素。而半导体芯片性能提升又与晶体管密度关系密切，不断缩小的芯片面积与不断增加的晶体管密度是一组矛盾因子，因此需要RibbonFET全环绕栅极晶体管这样的技术突破来冲破壁垒，确保更高晶体管密度下的性能释放不被电流和温度所影响。

Intel 18A另一项关键技术突破是PowerVia背面供电技术。英特尔率先在业内实现了这项技术。随着越来越多的使用场景都需要尺寸更小、密度更高、性能更强的晶体管来满足不断增长的算力需求，而混合信号线和电源一直以来都在“抢占”晶圆内的同一块空间，从而导致拥堵，并给晶体管进一步微缩增加了难度。

PowerVia背面供电技术应运而生，通过将粗间距金属层和凸块移至芯片背面，并在每个标准单元中嵌入纳米级硅通孔 (nano-TSV)，以提高供电效率。这项技术实现了ISO功耗效能最高提高4%，并提升标准单元利用率5%至10%。

与Intel 3制程工艺相比，Intel 18A的每瓦性能预计提升15%，芯片密度预计提升30%，这些改进不仅为英特尔自身产品提供了强大的性能支持，更将为诸多领域的未来创新应用奠定坚实的技术基础。

18A-P 是英特尔在 18A工艺基础上开发的性能优化版本，通过晶体管架构创新和供电优化，为高算力芯片提供了更优的能效比。

18A-P技术能够在保持相同功耗水平的情况下提升性能，或者在相同性能下降低功耗。分析师认为，对于那些追求极致性能并希望严格控制功耗的外部（无晶圆厂）客户而言，18A-P 生产节点可能更具吸引力。

对于英特尔来说，普通的 18A 制造技术可能是其推出Panther Lake 处理器、Xeon 7 数据中心 CPU等产品的理想选择，因为这些产品需要尽快推向市场。

然而，对于英伟达、博通等无晶圆厂设计公司来说，它们可能会倾向于选择性能更优、技术也可能相对更成熟（如性能变异性更低、缺陷密度更低、潜在良率更高）的 18A-P 增强版工艺，这与它们此前在台积电选择先进工艺节点时的策略类似。

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