摘要：氧化物陶瓷靶材作为薄膜沉积技术的关键材料，其制备工艺直接影响薄膜的均匀性、致密性及性能稳定性。湿法成型与烧结工艺作为其中的核心环节，对靶材的微观结构和最终性能起着决定性作用。本文将系统解析氧化物陶瓷靶材的湿法成型与烧结技术，探讨其工艺特点、关键参数及优化策略。

一、湿法成型工艺：从粉末到生坯的精密构筑

湿法成型通过将氧化物粉末与液相介质结合，实现材料均匀分散与精密成型。其主要工艺包括：

1. 溶胶-凝胶法（Sol-Gel）

原理与流程：以金属有机前驱体（如铝醋酸盐）为起点，通过水解、缩合反应生成溶胶，经陈化形成三维网络凝胶，再经干燥、低温烧结转化为氧化物粉末或坯体。

优势：可实现纳米级颗粒控制，成分均匀性高；适合制备高纯度薄膜及复杂结构靶材。

挑战：流程复杂、周期长，有机溶剂残留可能影响环保与性能；需优化干燥工艺避免凝胶开裂。

2. 注浆成型

工艺特点：将高固含量氧化物浆料注入多孔石膏模具，利用毛细作用脱水固化，形成具有一定强度的生坯。

应用范围：适用于大尺寸、复杂形状部件的成型，如陶瓷管、异形靶材。

优化方向：通过调整浆料粘度、固含量及添加剂（分散剂、粘结剂）改善坯体均匀性，减少干燥收缩。

3. 流延成型（Tape Casting）

技术要点：将氧化物粉末与有机载体（溶剂、增塑剂、分散剂）混合形成流延浆料，通过刮刀控制厚度均匀流延，干燥后形成柔性薄片。

优势：可实现亚毫米级厚度控制，适合制备薄膜靶材及电子元件基体。

关键控制：需精确调控浆料流变性能及干燥速率，避免分层、裂纹等缺陷。

4. 热压注成型（Injection Molding）

流程概述：将氧化物粉末与蜡基或热塑性粘结剂混合，加热至流动状态注入模具，冷却后脱脂烧结。

适用场景：适合高精度、小型复杂结构靶材的批量生产。

技术难点：需平衡粘结剂含量与脱脂速率，避免残留碳影响靶材纯度。

二、烧结工艺：微观结构的致密化与性能强化

烧结是决定靶材最终性能的核心步骤，通过高温处理实现颗粒间融合与致密化。主要烧结技术包括：

1. 高温无压烧结

工艺参数：在空气或惰性气氛（Ar、N₂）中，烧结温度通常为1500-1800℃，保温时间数小时。

效果优化：通过控制升温速率、保温时间及冷却速率，调节晶粒生长与孔隙闭合；添加烧结助剂（如MgO、SiO₂）促进致密化，抑制晶粒粗化。

2. 热等静压烧结（HIP）

技术优势：在高温（1500-1800℃）和高压（100-200 MPa）下，实现近乎理论密度的靶材，孔隙率可降至0.01%以下。

应用价值：显著提升靶材的力学强度（断裂韧性≥10 MPa·m¹/²）与溅射稳定性，延长靶材使用寿命。

3. 真空烧结

特点：在真空环境下烧结（10⁻³-10⁻⁴ Pa），有效避免氧化及杂质引入，适合高纯靶材制备。

适用材料：如氧化锆（ZrO₂）、氧化铝（Al₂O₃）等，可调控晶粒尺寸及晶相结构（如α-Al₂O₃稳定相）。

4. 低温快速烧结技术（如微波烧结）

创新突破：利用微波辐射的快速加热特性，将烧结时间缩短至传统工艺的1/3，同时细化晶粒结构。

未来方向：与AI工艺控制结合，实现温度场的均匀分布及实时调控，推动绿色制造。

三、工艺协同优化：性能与效率的平衡

湿法成型与烧结工艺的协同优化是提升靶材性能的关键：

粉末预处理：采用酸洗、高温煅烧去除杂质，结合球磨、超声分散防止团聚，确保原料高纯度（≥99.99%）。

成型-烧结一体化设计：如流延成型后直接低温烧结，减少中间环节，提高效率；HIP烧结结合CIP预成型，实现高密度与低缺陷。

表面后处理：通过激光修整、磁控溅射预镀层等技术，进一步降低表面粗糙度（Ra<0.5 μm），提升溅射薄膜均匀性。

四、典型应用与未来趋势

湿法成型与烧结工艺的优化，正推动氧化物靶材在以下领域的应用：

半导体与显示技术：高纯氧化铝靶材用于GaN功率器件绝缘层，氧化锆靶材作为OLED封装层。

新能源与储能：氧化锆涂层提升锂离子电池正极材料稳定性，氧化铪靶材助力栅极介质薄膜沉积。

未来方向：低温沉积兼容工艺开发、AI驱动的工艺参数智能调控、多功能复合靶材设计（如Al₂O₃/AlN叠层）。

结语湿法成型与烧结工艺的精细化控制，是氧化物陶瓷靶材实现高性能化的基础。从粉末分散到微观结构调控，工艺创新正不断突破材料性能极限，为薄膜技术发展提供核心支撑。随着跨学科技术的融合与智能化制造趋势，氧化物靶材将在更多前沿领域释放潜力，推动材料科学与工业技术的持续进步。