3月22日，九峰山实验室官方社交媒体账号宣布了一项重大科研突破：其科研团队在全球范围内首次成功制备了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料。这一成果有望在频率、效率和集成度等方面推动射频前端等系统级芯片实现质的飞跃，为下一代通信、自动驾驶、雷达探测以及微波能量传输等前沿技术的发展提供强有力的支撑。

氮化镓晶体的极性方向对其器件性能和应用具有至关重要的影响。按照晶体生长的极性方向，氮化镓主要分为氮极性氮化镓（N-polar GaN）和镓极性氮化镓（Ga-polar GaN）两种截然不同的极化类型。现有研究表明，在高频、高功率器件等领域，氮极性氮化镓相较于传统的镓极性氮化镓技术展现出更为显著的优势。

作为一种关键的半导体材料，氮极性氮化镓在高频通信与雷达探测领域具有不可替代的作用，已然成为国际科研界深入研究的热点。然而，由于材料生长条件的苛刻性以及工艺的高度复杂性，目前国际上仅有少数机构能够小批量生产2-4英寸的氮极性氮化镓高电子迁移率衬底材料，且生产成本居高不下。

九峰山实验室的这一技术成果，是全球首次在8英寸硅衬底上成功制备氮极性氮化镓高电子迁移率功能材料（N-polar GaNOI），一举打破了国际技术垄断。该成果的主要突破体现在以下三个方面：首先，在成本控制方面，采用硅基衬底，能够与8英寸主流半导体生产设备兼容，并深度集成硅基CMOS工艺，使得该技术能够快速适应量产工艺；其次，在材料性能方面，实现了性能与可靠性的双重提升；最后，在良率方面，键合界面良率超过了99%。这些突破为该材料的大规模产业化奠定了坚实的基础。