01月06日

企业动态

消息称三星电子已启动4nm制程HBM4逻辑芯片试产

据韩国媒体《朝鲜日报》报道，三星电子的存储业务部门（DS部门）最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计，并交由Foundry业务部采用4nm工艺进行试产。待完成逻辑芯片最终性能验证后，三星将提供HBM4样品验证。 HBM4内存的核心特性在于其卓越的传输能力和显著提升的能效性能。具体来说，HBM4的单个堆栈带宽达到了惊人的1.6TB/s，较HBM3E有了显著提升，这对于需要处理大量数据的应用如深度学习和大数据分析来说尤为重要。

三星在HBM4的制造中采用了先进的4nm逻辑芯片工艺，同时也结合了10nm DRAM技术，使其不仅在性能上大幅度提升，且有效解决了内存运行时的高发热问题。此外，三星电子还计划采用“混合键合”的新方法堆叠16层的HBM4产品。目前，HBM4分12层和16层两类；HBM3e则分为8层和12层。混合键合是一种通过铜堆叠芯片的工艺，无需使用传统方式连接芯片的“凸块”，从而能缩小尺寸并提高性能。

点评：三星电子启动4nm制程HBM4逻辑芯片试产，是其在高性能计算和人工智能领域的重要战略布局，具有多方面的重要意义。首先，4nm制程的HBM4逻辑芯片试产标志着三星在先进制程技术上的进一步突破。通过采用更先进的制程，三星不仅提升了HBM4的性能，还有效解决了高发热问题，这将有助于提升其在高性能计算和人工智能市场的竞争力。

从市场角度来看，HBM4的高性能和低功耗特性使其在高性能计算、人工智能和图形处理等领域具有广泛的应用前景。三星的这一举措将有助于满足市场对高性能存储器的日益增长的需求，进一步巩固其在存储器市场的领导地位。然而，尽管三星在4nm制程上取得了进展，但在高制程芯片能耗控制方面，三星电子一向不是台积电的对手。这次能否在能效和性能上反超台积电，还需看HBM4正式样品出来后的测试结果。

01月07日

企业动态

总投资120亿元，士兰集宏8英寸SiC芯片项目预计2026年Q1试产

士兰微电子股份有限公司（以下简称“士兰微”）计划投资120亿元人民币，与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同建设一条8英寸SiC（碳化硅）功率器件芯片制造生产线。该项目分两期建设，总产能规模将达到6万片/月。

项目一期总投资70亿元，预计2025年三季度末初步通线，四季度试生产，2026年一季度正式试产。一期项目达产后，年产42万片8英寸SiC功率器件芯片，预计年产值达67亿元。两期全部建成投产后，将形成年产96万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力，年销售额将可达到120亿元。

该项目是士兰微在厦门落地的第三个重大项目，将极大提升士兰微SiC芯片制造能力，较好满足国内新能源汽车所需的SiC芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩等功率逆变产品提供高性能的SiC芯片。

点评：这一项目将显著提升士兰微在SiC功率器件领域的制造能力，有助于公司抓住新能源汽车产业快速发展的机遇，进一步完善在车规级高端功率半导体领域的战略布局，增强核心竞争力。此外，项目的建设也将为公司带来新的收入增长点，提升公司的盈利能力。

从行业角度来看，随着新能源汽车、光伏、储能等行业的快速发展，对高性能SiC功率器件的需求日益增加。士兰集宏项目的实施，将有助于缓解国内SiC芯片供应紧张的局面，提高国产SiC芯片的自给率，推动国内第三代半导体产业的快速发展。同时，该项目也将促进相关产业链的协同发展，如8英寸SiC衬底及相关工艺装备等，提升我国在半导体领域的整体竞争力。

此外，SiC芯片制造技术难度较高，项目在建设过程中可能面临技术难题，需要公司持续投入研发资源，确保技术的先进性和产品的可靠性。另一方面，半导体市场具有一定的周期性，项目建成后的市场环境存在不确定性，公司需要密切关注市场动态，灵活调整经营策略，以应对市场风险。

01月08日

企业动态

丰田合成开发出8英寸GaN单晶晶圆

1月8日，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布成功开发出了用于垂直晶体管的200mm（8英寸）氮化镓（GaN）单晶晶圆。这一突破性的进展标志着丰田合成在GaN晶体生长领域的技术实力和创新能力得到了进一步提升。与使用硅基GaN工艺的横向晶体管相比，采用氮化镓单晶构建的垂直晶体管可提供更高密度的功率器件，适用于200mm和300mm晶圆。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN单晶晶圆一直面临技术挑战。

此前，丰田合成就曾成功制造150mm（6英寸）GaN单晶晶圆，此次成功开发出200mm GaN单晶晶圆可谓是又一大突破。据介绍，该200mm GaN衬底可用于生长600V垂直GaN晶体管，具有常闭操作，栅极电压阈值超过2V，导通状态下最大漏极电流为3.3A。此外，它还表现出超过600V的击穿电压和关断状态操作期间的低漏电流。

日本环境省正在领导一个GaN功率器件广泛应用的项目，丰田合成正在提供底层晶圆以获得理想的GaN晶体。该项目的成果之一是，在丰田合成与大阪大学共同开发的GaN籽晶上制造GaN衬底，使得功率器件性能得到了明显的改善。与在市售衬底上制造的功率器件相比，使用这些GaN衬底的功率器件在功率调节能力和良率方面都表现出更高的性能。

丰田合成表示，将继续与政府、大学和其他公司合作，尽早推广大尺寸GaN基板。

点评：首先，从技术角度来看，这一成果展示了丰田合成在GaN晶体生长技术上的领先地位。8英寸GaN单晶晶圆的成功开发，不仅克服了大尺寸GaN单晶晶圆制造的技术难题，还为未来更大尺寸晶圆的生产奠定了基础。这将有助于推动GaN功率器件在高频、高功率应用领域的进一步发展，如5G通信、电动汽车、数据中心等。

其次，从市场角度来看，8英寸GaN单晶晶圆的开发将有助于降低GaN功率器件的生产成本。随着晶圆尺寸的增大，单位芯片的制造成本有望显著降低，这将使GaN功率器件在价格上更具竞争力，从而加速其在市场上的普及。这对于推动GaN产业的规模化发展具有重要意义。

然而，丰田合成也面临着一些挑战。尽管成功开发出8英寸GaN单晶晶圆，但要实现大规模量产仍需克服诸多技术难题，如提高晶体质量、确保良率等。此外，GaN功率器件市场目前仍由少数几家公司主导，丰田合成需要在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得更多客户的信任和订单。

01月10日

企业动态

日本Rapidus试制博通芯片，计划6月交付

日本半导体制造商Rapidus计划与美国芯片巨头博通（Broadcom）合作，力争量产2纳米尖端芯片，Rapidus计划在2025年4月开始试生产2纳米芯片，并最早在6月开始向博通发货。该公司的试产时间与台积电基本一致，但台积电将在明年开始规模化生产，而Rapidus希望在2027年实现量产。

为了实现这一目标，Rapidus已经从荷兰芯片制造供应商阿斯麦（ASML）处获得了第一台极紫外光刻机（EUV），该设备预计在今年3月底安装完成。目前，Rapidus正在积极筹备2纳米芯片的试产程序，该公司董事长表示，其已经派遣约150名工程师前往IBM位于美国的研发中心，以接受2纳米芯片制造方面的培训。

4月的试产对于Rapidus来说至关重要，考虑到该公司已经获得了日本政府的大量资助且仍计划进一步融资，试生产的结果是吸引投资人和潜在客户订单的最大关键。Rapidus现有客户主要是风险投资公司，或者是从事AI行业的初创企业，而没有类似于亚马逊或苹果这样的大客户，这意味着该公司的抗风险能力实际上相当有限。

点评：Rapidus与博通的合作是日本半导体产业复兴的重要一步。这一合作不仅展示了Rapidus在2纳米芯片制造领域的技术实力，也为其在全球半导体市场中的崛起奠定了坚实的基础。通过与博通的合作，Rapidus有望获得更多的客户资源和市场机会，进一步提升其在半导体代工领域的竞争力。然而，Rapidus面临的挑战也不容小觑。首先，2纳米芯片的制造技术难度极高，需要在短时间内实现高良率和高性能，这对Rapidus的技术和生产能力提出了极高的要求。其次，Rapidus需要在激烈的市场竞争中脱颖而出，吸引更多的大客户，以提高其抗风险能力。最后，Rapidus需要在资金筹集和技术开发方面持续发力，以确保其量产计划的顺利实施。

01月06日

浪潮半导体产业园投产

浪潮华光光电成立二十五周年大会暨浪潮半导体产业园投产仪式在济南隆重举行。这一重要时刻标志着浪潮进入半导体产业的新阶段，也展现了中国在全球半导体领域的最新动向。

浪潮半导体产业园是浪潮集团全新打造的半导体激光器外延片、芯片、器件一体化研发生产基地，总投资超过6亿元人民币，投产后预计年产半导体激光芯片、器件等6000多万只。 该产业园的建设将大大提高生产效率、降低生产成本，并推动半导体技术的迭代升级。

浪潮集团党委书记表示，浪潮半导体产业园的投产将有利于集团进一步发挥链主企业作用，更好促进济南乃至全省激光产业的发展。下一步，集团将持续加大资源投入力度，不断做大做强半导体激光器板块，为现代化强省建设作出更大贡献。

01月06日

全面“围堵”中国！长鑫、腾讯等134家中企被美列入黑名单！

1月6日，美国国防部通过《联邦公报》发布最新版“中国涉军企业”清单（“CMC”，根据美国法律正式规定为“第1260H条名单”），将腾讯控股、宁德时代、长鑫存储、移远通信，以及无人机制造商深圳市道通智能航空技术股份有限公司（Autel Robotics Co.,Ltd.）等中企新增列入该清单，其中还涵盖长江存储、中芯国际等众多中国半导体企业。

据《联邦公报》发布通知，美国每年都将更新中国涉军企业名单名单。本次更新后，此名单已扩大至134家企业，其中包括57个实体及其子公司。

据路透报道称，这份清单旨在突出并限制那些构成安全风险的中国企业。自2021财年国防授权法(NDAA)设立1260H条款起，美国国防部(DoD)持续依据该条款要求五角大楼每年更新并公布“中国军工企业”名单，并对此类企业在国防相关采购、合同、投资等领域设置限制。尽管该指定并不涉及立即禁令且与出口管制或制裁不同，但其潜在影响却不容忽视，它极大可能会损害被列名企业的声誉，并促使财政部考虑进一步的制裁措施。

同时，据了解美国《2024财年国防授权法》的相关规定，被列入该清单的实体可能会受限于相关实体禁令或商品和服务禁令, 且与其他企业的正常商业合作也可能受到一定影响。

01月07日

国内四条12英寸晶圆生产线投产！

进入2025年前后，南京、北京、扬州、广州、海口、龙岩等多地区，芯片生产线相关项目加速推进，涵盖碳化硅、IGBT、滤波器芯片等多项领域。这些芯片生产线项目，覆盖了半导体行业多个核心细分领域，反映出中国在美国及其盟友封堵下，力求推进在芯片基础材料研发、制造技术提升、特色芯片创新及封装测试等半导体产业链环节的国产化。

综合媒体报道，在美国制裁下，中国当前全力冲刺半导体成熟制程生产，机构先前预测，2023年至2027年，中国将会有41座晶圆厂投产，其中12英寸厂有34座，8英寸厂有7座。仅在过去一周多的时间，中国各地宣布的半导体产线投产项目就犹如雨后春笋。

譬如，润鹏半导体、天成先进、粤芯半导体、华虹无锡四条12英寸晶圆生产线，近日均传出投产动态；燕东微宣布拟向实控人定增40.2亿元投建12英寸集成电路生产线；中芯国际、广州增芯科技在内的两条晶圆生产线也有新进展，聚焦生产功率器件和逻辑IC。