4 月 24 日消息，据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道，三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了 40% 的良率，这高于一般的 10% 起点，也好于此前同制程产品的不足 20%。

40% 只是一个初期成绩，未来会随着芯片制造的成熟逐步提高。而该百分比显示 4nm HBM4 逻辑芯片的进一步开发有了较为稳定的基础。

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三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折，将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士，更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用较为激进的技术路线，以挽回局面。