自从华为等中企遭受美国制裁以来，我国半导体产业“缺芯少魂”的短板就暴露无遗，尤其是在重资产芯片制造领域，EUV光刻机等垄断级别的核心设备材料，成了老美对中企格外“照顾”的重心。

例如中芯国际，早在2018年就曾向ASML订购了一台EUV光刻机，可在老美的干预下，该设备至今也未能到货。若非如此，中芯国际在代工行业或许已经达到了比肩台积电、三星的水平，麒麟芯片也不至于沦为“绝唱”。

可即便如此，国内利用暂时可以买到的DUV光刻机，依然实现了28nm/14nm成熟芯片制程的量产，在很大程度上减轻了对美芯的依赖。数据显示，2022年中企累计砍单进口芯片的数量超过了970亿颗！

没想到的是，进入2023年后，老美又一次抡起了“重锤”，联合日、荷两国制定了新协议，计划把限制范围扩大到28nm成熟工艺，妄图通过对DUV光刻机的把控，彻底锁死我国芯片产业的出路。

由此可见，美帝主义亡我之心始终未死，我们也不能再对外抱有任何幻想，国产芯片的崛起没有捷径，只有不断加大研发，努力攻克光刻机等技术壁垒、做到“手中有粮”，才能彻底摆脱被“卡脖子”的命运。

庆幸的是，在国产芯片被老美“撕破脸”后，中科院等机构企业甚至是高校，一直都保持着对光刻机的高强度研发。

就在近日，国内市场传出了两项重要消息。据悉，由哈工大自主研发的高速超精密激光干涉仪正式迎来了突破。该设备主要是用于光刻机的性能测试以及机样集成研制，覆盖范围在350nm至28nm之间。

要知道，上海微电子研发的28nmDUV光刻机之所以迟迟没有落地，主要就是因为光源的国产化问题还未得到完善解决。不过，随着哈工大新成果的到来，西方打造的光源技术壁垒也基本宣告结束了。

可以预料，距离DUV光刻机国产化替代的日子已经不远了。另外，哈工大此次还突破了另外一项关键技术，那就是EUV激光光源。

众所周知，双工件台系统、物镜、DPP-激光光源是EUV光刻机三大核心技术，在过去两年时间里，中科院等机构已接连实现了前两项的国产化。这意味着，EUV的国产化已经搭建出了主体“框架”，至于EUV设备所谓超过10万个的精密元器件，只需解决供应链和组装问题即可。

对此，美、日、荷可谓始料未及，ASML曾经嘲讽“给中国图纸也造不出EUV”的话，如今似乎也成了笑柄。

在不少外国媒体看来，一旦中国克服了光刻机等核心设备材料的垄断，那么中国芯片崛起的脚步，就基本就拦不住了，至于西方“霸凌主义”，没有了中国市场的信任和支持，也终将要为断供举动“买单”。

当然，盲目的吹捧是不可取的，就实际情况来看，国产半导体的整体水准与西方还有不小的差距，我们仍需脚踏实地继续努力。

但过去也早已多次证明，中国从来不惧封锁，且会把所有的困难转化为前进动力，“两弹一星”、“航天航空”都是最好的证明。因此，个人认为，对于“中国芯”的伟大崛起，我们理应保持足够的信心！