9月11日，德国慕尼黑和奥地利菲拉赫消息，全球功率半导体巨头英飞凌宣布已成功开发出全球首项 300mm 氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌称其是首家在现有的可扩展大规模生产环境中掌握该技术的企业。在奥地利菲拉赫的晶圆厂，该公司利用现有设备整合试产线，成功产出了300mm GaN 晶圆，后续会根据市场需求扩大产能。

300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆(图源：英飞凌)

相较于200mm晶圆，300mm晶圆技术实现了质的飞跃。它不仅将每片晶圆上的芯片数量提升了2.3倍，更在效率上实现了显著提升。随着GaN基功率半导体在多个领域的迅速普及，这种先进的制造工艺不仅能为终端客户提供更高性价比的解决方案，还确保了客户供应链的稳定性和可靠性，满足了市场对于高性能、高质量产品的迫切需求。

数据显示，预计到 2030 年末，GaN 市场规模将达数十亿美元。而英飞凌这一创新举措无疑将进一步巩固其在全球功率半导体领域的领导地位。

英飞凌2024财年第三季财报资料

此外，值得一提的是，英飞凌计划在2024年11月的慕尼黑电子展上，首次公开展示其300mm GaN晶圆产品。这项技术的核心优势在于其能够充分利用现有的300mm硅制造设备，实现全规模化的生产，从而有效降低了GaN产品的生产成本，使其在与硅基产品的竞争中，在RDS(on)等关键指标上达到相近的成本水平。

全球最大的碳化硅功率半导体晶圆厂已启用

8月8日，英飞凌宣布其位于马来西亚的新晶圆厂一期项目正式投入运营，标志着这座工厂即将成为全球规模最大、竞争力最强的200毫米碳化硅功率半导体晶圆生产基地。

据悉，该项目总投资额高达20亿欧元，专注于碳化硅功率半导体的生产，并涵盖氮化镓外延技术的研发与应用。新晶圆厂一期项目的启动，不仅将直接创造900个高技能就业岗位，更为未来二期项目的扩建奠定了坚实基础。二期项目计划投资50亿欧元，旨在建成全球最先进、最高效的200毫米碳化硅功率半导体晶圆生产线，预计最终将创造超过4000个工作岗位。

与此同时，英飞凌居林工厂第三厂区正在持续扩建，已获得约 50 亿欧元的设计订单，并收到新老客户约 10 亿欧元预付款。这些订单来自不同行业客户，包括汽车行业的 6 家整车厂以及可再生能源和工业领域客户。

位于居林的英飞凌碳化硅功率半导体晶圆厂(图源：英飞凌)

此外，英飞凌披露，居林工厂第三厂区与奥地利菲拉赫生产基地紧密相连，后者是全球功率半导体能力中心。英飞凌在 2023 年提高了菲拉赫工厂在碳化硅和氮化镓功率半导体方面的产能。这两座生产基地形成了专注于宽禁带技术的 “虚拟协同工厂”，可共享技术与工艺，实现快速量产与平稳高效运营。

居林工厂在 200 毫米晶圆生产上的规模经济效应为扩建奠定了良好基础。英飞凌在菲拉赫和德累斯顿的 300 毫米晶圆厂奠定了其在半导体市场的领导地位，居林工厂的投资扩产将进一步巩固和提升这一地位。

英飞凌于 1973 年开始布局东南亚的马六甲，2006 年在居林开设亚洲首座前道晶圆厂，目前其在马来西亚拥有16000 多名高技能员工。