据知名数码博主爆料，联发科下一代天玑旗舰5G SoC在功耗表现上非常出色，原因是其采用了目前最强的台积电4nm工艺。另外，该消息还表示这颗旗舰芯片采用了Arm V9架构，实测表现也相当惊艳。

自天玑系列芯片诞生以来，联发科一直在冲击高端之路。年初发布的天玑1200采用了台积电先进的6nm工艺，性能表现十分出色，在功耗方面也获得了中国移动、中国电信等合作伙伴的好评。

作为高端手机的另一颗Soc，骁龙888系列今年的表现却并不尽如人意。搭载骁龙888的手机发售之后，面对大量测评出现了大规模功耗翻车的现象，直接导致芯片功耗问题成为今年高端手机用户的痛处。

据业内消息，骁龙895预计会在年底亮相，继续采用三星代工的高通能否顺利解决功耗问题，仍是一个未知数。

相比之下，无论是此前的苹果还是联发科，采用台积电工艺的芯片在功耗表现上明显更具有优势。

爆料宣称联发科下一代全新的天玑旗舰将采用台积电4nm工艺，结合Arm全新推出的V9架构，在性能和功耗上都将拥有不错的表现。结合更早些的消息，这颗芯片将于今年年底正式发布，这意味着下一代天玑旗舰芯片将首发台积电4nm制程。

根据研调机构Counterpoint research最新的报告指出，联发科第二季度手机Soc市占高达38％，在2021上半年交出亮眼的成绩单，连续四个季度成为行业第一。

这一数据证明，联发科天玑系列已经成功获得了行业和用户的认可。基于目前的增势，接下来这颗采用台积电4nm和Arm V9架构的旗舰处理器一旦发布，将如同一支强心剂，奠定天玑系列在整个手机芯片市场的旗舰地位。

有大V表示，“天玑这颗规格全到位了，真旗舰无疑”。凭借先进的技术，联发科下一代天玑旗舰Soc将成为各大高端手机的首选，期待联发科这次能够给行业和用户带来前所未有的惊喜。