据闪德资讯获悉，创意电子宣布成功完成HBM4控制器与实体层（PHY）IP的投片。
该芯片采用台积电最先进的N3P制程技术，并结合CoWoS-R先进封装技术实现。
创意表示，HBM4 IP支持高达12Gbps的数据传输速率。
透过创新的中介层（interposer）布局设计，优化了信号完整性（SI）与电源完整性（PI），确保HBM4在各类CoWoS 技术下皆能稳定运行于高速模式。
相较于HBM3，HBM4 PHY实现了2.5倍的带宽提升，并将功耗效率提升1.5倍，面积效率提升2倍。
创意指出，将延续与proteanTecs在HBM、Glink与UCIe IP的技术合作，HBM4 IP亦整合了proteanTecs的互连监测解决方案，提供HBM连线讯号的可观测性与电气特性分析，进一步提升终端产品的实际运行效能与可靠度。
闪德资讯，一个聚焦关注存储产业供应链和趋势变化的垂直媒体。
