SK海力士HBM封装开发执行“双轨战略”。

据报道，SK海力士近期调整了其HBM内存开发组织的架构，将标准和定制HBM的封装产品开发团队一分为二。针对不同产品线的技术需求实施差异化战略，一方面通过服务以英伟达为代表的关键客户来展现技术领导力，另一方面继续扩大在快速增长的通用HBM市场中的份额。

据悉，此前SK海力士HBM开发是由统一团队负责从策划到验证的全过程。但随着产品技术复杂度提高，公司判断原有一体化体系已达上限，因此决定将开发体系进行分离。

据了解，目前这两个团队均隶属于由李圭济（音译）副社长领导的“封装产品开发本部”，并由李康旭（音译）副社长领导的“封装开发部门”统一管理，是公司负责客户响应与产品设计的核心执行组织。

其中，标准HBM更注重通用性、良率和生产效率，适用于面向多样化AI和服务器客户的大规模供应。随着AI和高性能计算需求上升，以及大型科技公司加快自研AI芯片，标准HBM的市场预计将迅速扩大。

而客户定制HBM主要面向如英伟达等核心客户，针对具体需求开发超高性能产品。不同客户对带宽、电力效率、接口速度等有各自的定制化规格，因此必须由独立团队快速开发并保持紧密的技术沟通。

针对SK海力士此次HBM组织调整，业内人士认为：“随着AI半导体市场不断高端化，各家客户对HBM产品的要求差异显著。SK海力士通过开发体系的双轨制，意在实现对不同产品的最佳响应。”通过同时掌握高性能高附加值产品和大规模供应产品，SK海力士将会牢牢掌握AI存储市场的主导权。

面对 AI 芯片需求爆发，SK 海力士正在积极扩展产能。据悉，SK海力士2025年HBM订单已全部售罄，并启动2026年产能分配谈判，同时2025 年资本支出计划从22万亿韩元上调至29万亿韩元，重点用于韩国忠州M15X工厂的 HBM 产线建设。

M15X工厂是SK海力士现有清州M15工厂的扩建项目，总投资超过20万亿韩元，定位为HBM 专用生产基地。该工厂采用1b DRAM 工艺和MR-MUF（批量回流模制底部填充）技术，支持12层HBM3E和16层HBM4的堆叠生产。其中，HBM4将采用2048 位接口，带宽达2TB/s，容量提升至48GB，较HBM3E性能再提升 33%。

M15X工厂原计划2026年第三季度全面投产，但受博通、英伟达等客户订单推动，设备安装提前至2025年10月，2025年11月启动量产，比原计划提前约8个月。2025年2月，SK 海力士从利川DRAM工厂调派工程师团队进驻 M15X，覆盖设备调试、工艺优化等岗位，标志着投产准备进入最后阶段。

在产能方面，2025年底，SK 海力士HBM月产能将从15万片提升至16万-17万片，其中M15X贡献约 20%。到2026年完全投产后，总产能将达24万片/月，较2024年翻倍。

除了M15X工厂，SK海力士还在进行其它产线改造。SK 海力士已于今年3月末完成了其位于韩国京畿道利川市的 M10F 工厂的产线改造，该厂从此前负责一般 DRAM 产品的后端处理调整为封装高附加值、高需求的 HBM 内存。知情人士透露：“我们引进和更换了一些封装设备，并改变了必要的材料以适应包装。我们上个月底获得了当地消防部门的许可，并开始大规模生产。”

SK海力士持续推进利川M10F、清州M8转换投资、以及清州M15F新厂的投资，以扩大HBM产能，目前M10F首先完成。据悉，此次转产后，SK海力士HBM产能将从之前的每月12万片（以晶圆投入量计算）提升至13万片。为M10F准备的HBM产能预计为10000张。

值得注意的是，研究公司 Counterpoint Technology 在2025 年第一季度 DRAM 内存原厂市场占比报告中指出，SK 海力士凭借在 HBM 领域的强劲表现成功首度超越三星电子，夺得该季度市场占比第一。三大 DRAM 内存原厂SK海力士、三星电子和美光在2025年一季度分别拿下 36%、34%、25% 的市场占比，而其它企业则占据剩余 5%；而在HBM细分市场，SK 海力士独占 70%。

Counterpoint 高级分析师 Choi Jeong-ku 表示：“对于 SK 海力士来说，这是一个里程碑，它成功地向 HBM 存储器需求不设限制的市场交付了 DRAM 产品。制造专门的 HBM DRAM 芯片一直是出了名的棘手问题，而那些在早期就做得对的厂商因此收获颇丰。”

Counterpoint 预计本季度的 DRAM 市场在细分市场增长和供应商占比方面的情况将同一季度相似。对于关税变动，该机构认为短期内 HBM 细分市场不会收到冲击，长期来看可能受到国际经贸形势变化带来的结构性挑战。

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