尽管台积电阻止了华为在其先进制程节点上制造昇腾 910B 芯片的尝试，但这家中国巨头已找到了新的途径来获取用于人工智能训练的先进硬件。不久之后，昇腾 910C 芯片问世，SemiAnalysis 对该芯片的深入研究表明，尽管存在诸多限制条件，但它具备与英伟达竞争的实力。现在，《电子时报》的一篇新报道称，昇腾 910C 的后续产品（昇腾 920）预计很快就会推出。
知名的 X 平台爆料者 Jukanlosreve 称，昇腾 920 将采用中芯国际 6 纳米级的 N+3 制程节点进行制造。它将于 2025 年下半年进入量产阶段。由于采用了 HBM3 内存，该芯片（很可能）具备 900 万亿次每秒的 BF16 运算能力，内存带宽达到 4000GB 每秒。它旨在取代英伟达近期被禁售的专为中国市场设计的基于 Hopper 架构的 H20 芯片。
昇腾 920 的推出也预示着中芯国际新的 6 纳米级制程节点的到来，这一制程很可能会应用到其他产品上，比如华为智能手机的麒麟芯片。尽管此前传闻的麒麟 9100 芯片最终并未推出，但它实际上可能会在今年晚些时候发布。一直有传言称中芯国际正在研发 5 纳米级制程节点，但由于无法获得极紫外（EUV）光刻机，这方面的进展可能较为缓慢。
